ivdon3@bk.ru
Рассмотрена конструкция датчика на поверхностных акустических волнах (ПАВ) для измерения параметров газовых и жидких сред, представляющего линию задержки с однонаправленными встречно-штыревыми преобразователями (ВШП). Исследован коэффициент отражения ПАВ от однонаправленного ВШП, нагруженного на изменяющийся импеданс. На зависимости коэффициента отражения от величины сопротивления имеется почти линейный участок при значениях сопротивления более 50 Ом. Разработана новая конструкция и методика получения связанных решеток наностержней оксида цинка, имеющих общее сопротивление в диапазоне 50-250 Ом, которая подключается к отражательному ВШП в качестве нагрузки.
Ключевые слова: пассивные датчики, ZnO нанопровода,поверхностные акустические волны, встречно-штыревой преобразователь.
Ключевые слова:
01.04.07 - Физика конденсированного состояния , 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
Описан аналого-цифровой преобразователь, в котором используется модуляция входного сигнала, его усиление, и последующая демодуляция. Для компенсации дополнительной погрешности преобразования напряжения, связанной с нестабильностью температуры, используется алгоритм динамической термокомпенсации, основанный на корреляции между напряжением смещения и производной температуры модулятора. Изготовленный АЦП при постоянной времени 0,85 с имеет порог чувствительности 1 нВ; 8,5 c – 0,31 нВ; 85 с – 0,13 нВ; 850 с – 0,1 нВ, соответственно, в динамическом диапазоне 400 мкВ. Оценка температурного дрейфа напряжения смещения равна 40 пВ/°С, временного – 100 пВ/ч.
Ключевые слова: аналого-цифровой преобразователь, АЦП, компенсация погрешностей.
Ключевые слова:
В статье сообщается о результатах электронно-лучевой обработки (ЭЛО) поверхностей оптических компонентов, изготовленных из боро-лантанового стекла марки СТК119, применяемых в оптико-электронных приборах системы ориентации космических аппаратов.
Авторы статьи указывают на высокие требования к характеристикам оптических деталей данного класса приборов, а также на имеющиеся объективные трудности достижения этих характеристик традиционными технологическими методами. В качестве одного из альтернативных методов для указанных целей, в дополнение к обычным методам обработки, предлагается использовать также электронно-лучевую обработку поверхностей оптических деталей.
В статье дается краткое описание основных физических и химических процессов, происходящих в приповерхностном слое оптической детали из боро-лантанового стекла СТК119, подвергающейся электронно-лучевой обработке.
Ключевые слова: электронно-лучевая обработка, оптическое стекло, поверхностный слой.
В статье представлены результаты исследований по проектированию схем для анализа интегральных планарных антенн для систем радиочастотной идентификации. Ожидаемые искажения параметров антенны, вносимые схемой для исследования, уменьшаются за счет простоты схемы. Прямой канал для анализа антенны организован классическим переносом частоты без использования схем усиления, за счет наведения достаточной мощности из антенн. Для организации обратного канала выбран метод модуляции отраженного сигнала, использующий схему, содержащую варикап. Расчетные параметры позволят проанализировать антенну в диапазоне частот от 1 до 10 ГГц.
Ключевые слова: интегральные антенны, радиочастотная идентификация, характеристики антенн, интегральные схемы.
05.12.07 - Антенны, СВЧ устройства и их технологии , 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
Формирование исследовательских платформ кластерного типа, связывающих установки проведения ростовых процессов с модулями анализа и постростовых операций посредством вакуумной транспортной системы, открывают широкие возможности для создания полнофункциональных наноструктур и наноустройств на их основе. В статье представлена технология формирования эпитаксиальных AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT-структур, анализа их электрофизических и морфологических свойств с использованием нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9. Качество гетеропереходов контролировалась при помощи растровой электронной микроскопии.
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, HEMT, GaAs, нанотехнологический комплекс НТК-9.
Описано микромеханическое зеркало, изготавливаемое по интегральной технологии поверхностной микрообработки. Предложены модели жесткости упругого подвеса устройства для различных режимов его работы. Приведены зависимости собственных частот колебаний чувствительного элемента от геометрических размеров упругого подвеса микромеханического устройства.
Ключевые слова: элементная база, модель, микроэлектромеханическая систем, микрооптикоэлектромеханическая система, микромеханическое зеркало.
Описан микромеханический гироскоп-акселерометр, изготавливаемый по интегральной технологии поверхностной микрообработки. Предложены модели жесткости упругого подвеса устройства для различных режимов его работы. Приведены зависимости собственных частот колебаний чувствительного элемента от геометрических размеров упругого подвеса микромеханического устройства.
Ключевые слова: элементная база, модель, микроэлектромеханическая систем, сенсор, микромеханический гироскоп-акселерометр.
В статье обоснована актуальность исследования энергетической структуры полупроводниковых сверхрешеток, указаны возможные области их применения
Ключевые слова: энергетическая структура, сверхрешетка, гетеропереход
Стр. 57-67
№ гос. регистрации 0421000096\0014
В работе рассмотрены результаты математического моделирования резонансного туннелирования в полупроводниковых наноструктурах. Разработанная модель позволяет вычислять коэффициенты прохождения через двухбарьерную структуру и отражения от неё носителей заряда в зависимости от их энергии.
Ключевые слова: туннелирование, полупроводниковые наноструктуры, физическая модель, двухбарьерную структуру, уравнение Шредингера, коэффициенты прохождения, математическая модель, алгоритм решения.
№ гос. регистрации 0420900096/0029
Проведен теоретический анализ физической модели полупроводниковой наноструктуры, сформулирована математическая модель, выбран алгоритм решения системы уравнений, приведен пример решения. Ключевые слова: физическая модель, компьютерное моделирование, полупроводник, наноструктура, алгоритм решения, численные расчеты
В области исследований свойств тонких оксидных пленок смешанного состава недостаточно изученными остается целый ряд вопросов. Не до конца изучено влияние технологических режимов формирования пленок, их состава, морфологию поверхности, микроструктуры на электрофизические свойства и газочувствительные характеристики тонкопленочных материалов. Остаются недостаточно ясными механизмы их взаимодействия газами. Целью работы явилось получение тонкопленочного материала состава SiO2SnOxAgОУ и разработка на его основе сенсора аммиака. Ключевые слова: многокомпонентные неорганические оксидные материалы, синтез и исследование физико-химических свойств неорганических оксидных плёнок, газочувствительные материалы с заданными характеристиками, химические сенсоры газа